中国半导体业要奋力突围
近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立场，歪曲事实。
此次中国半导体业的“奋力突围”，有两层意义：
一个是差距大，希望迅速的成长，至多是扩大芯片的自给率。
另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步，所以才要进行“奋力突围”，准备冲出去。
中国半导体业无意去挑战美国的半导体霸主地位，也缺乏实力，差距是十分明显的，不可能会有此天真的想法。如ICInsight公布的2016年全球前20大芯片制造商排名中，美国有8家、欧洲3家、日本3家、台湾地区3家、韩国2家以及新加坡有1家。
中国半导体业发展的历程一直受到西方的极大关注，最早是“严格的封锁“，之后随着中美建交，及中国实行改革开放政策，打开大门，西方也采用它的另一种“合作双赢”，及“潜移默化”、“文化渗透“等策略，一方面是看重中国的巨大市场潜力，以及另一只眼仍紧盯着中国半导体业的崛起。
因此打压中国半导体业的进步是主轴，仅是方法、方式在不断的改变，表明东西方的较量围绕着双方利益的再平衡。
为什么此次会更加严峻
虽然中国半导体业一直在进步，但是由于之前的道路摇摆不定，没有找到合适的方法，因此引不起西方太大的关注。
自2014年“大基金”的成立以来，它不仅是首先解决“钱”的问题，更重要的是产业翻开新的一页，中国半导体业发展要持续的加重投资、扩大产能，开始涉足IDM模式，如存储器等芯片的制造，并公开宣称产业的发展要按照国际的规则，尊重知识产权，向市场化、全球化迈进。
由于此次发展的道路可能走对，而且决心更大，加上中国半导体业在全球的权重因子日益提升，导致西方过度的反应，也是意料之中的事。
如2016年由美国总统奥巴马的科学与技术顾问委员会撰写，指出美国半导体产业需要创新以及加快动作，才能因应中国试图扭转市场局势、占据有利位置的威胁。
该报告广泛建议以三大主轴为基础的策略：
其一是反制“阻碍创新”的中国产业发展政策，
其二是为美国晶片厂商改善商业环境，
其三是“在未来的十年协助催化革命性的半导体创新”。
今年的8月14日，美国总统特朗普签署备忘录，指令美贸易代表根据《1974年贸易法》研究决定是否对中国与知识产权相关的贸易政策和行为发起“301调查”。而有消息称，如果此次调查付诸行动，中国的半导体、医疗设备、电子行业、智能制造及通讯工具等行业极大概率会中招。
因此可以清楚地看到中美双方在半导体业方面的较量一直在持续，之前由于弱小，它们是不屑一顾，而此次中国半导体业来真的，可能获得更大的进步，会导致全球格局的改变，联想到中国在太阳能、平板产业及手机处理器芯片等方面的成功，它们再也坐不住啦。
所以中美之间的半导体业之争，可以比喻如同弹簧一样，中国半导体业的进步越大，弹簧压得更低，它的反弹一定会更加激烈。
不惧怕沉着迎战
观察中国半导体业发展的历程，西方势力压制中国从未停止，只是随着双方的利益关系，此起彼伏，有时会宽松，有时会更较劲，实际上这才是正常的态势。究其根本的原因是时代已经改変，双方已经“你中有我，我中有你”，只有合作共赢是大局。另外，中国人口那么多，体量如此之大，近期国家实力的大增，相信任何人必须正视它。
分析中美半导体双方全面的和解，尚不到时候，然而双方全面的对抗，可能性也不会太大，但是双方之间的摩擦一定会增多。因为观察2016年英特尔在中国的销售额达128亿美元，占其总销售额的25%，高通为84.7亿美元，占其53%（2017年预测扩大至65%），Broadcom为50.4亿美元，占其60%，NXP为49.5亿美元，占其50%，及Micron的57.6亿美元，占其41%等。意味着如果真的与中国决裂，它们其中的哪个公司也不会好受。
从策略上应该针对假设最困难的情况出现，并提出相应的“预案”才是理性的表现。因为对手可能“出牌”的机会很多，如对待“中兴”那样，发个通知限制其国际上的贸易，或者开展更大范围的对于中国的禁运，以及进一步封杀中国半导体的国外兼并，以及合资与合作等。
如果这样的时候真的到来，也没有什么可怕，两点对策：
任何情况下，不惧怕，害怕不会改変现状，但是也绝不能退缩；
据历史上的经验，可能反倒“坏事能变成好事“，逼迫我们需要依更快的速度，自力更生奋发图强，来解决中国半导体市场的需求。
但是从双方的利益分析，对抗是两败俱伤，唯有双方合作，在竞争中取胜，才是正道。因此相信中美半导体业之间的对抗不太可能会持续很久。
更重要的是迅速改変自已
未来中美半导体业对抗会升级吗？这个问题不一定看得太重，未来什么情况都可能发生，想太多也无实际意义。其实道理谁都明白，关键在于我们自己。只有中国半导体业迅速的改变自己，尤其是那些骨干企业，加紧研发、增强竞争力、努力缩小差距。
未来有两个方面要十分关注，一个是既要加快的发展，但也不能乱了自己，尤其是国内的各家要依产业利益为重，少些内耗；另一个是不能指望“一蹴而就”，要充分认识到与美国等的差距很大，至少需要20年的奋发图强，埋头苦干，中国半导体业才有可能在全球有立足之地。
近期听到中芯国际的28纳米制程，合肥的睿力DRAM，晋江的晋华DRAM，以及长江存储的32层3DNAND等都有不同程度的进展，极大地鼓舞人心；另一方面是要进一步扩大开放，努力改善产业的发展环境。
与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距，不仅表现在人材，技术等方面，可能更大的差距在于综合的国力，以及产业大环境的改善，所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
